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SPB80N04S2L-03 Infineon Technologies AG 授權資源 & 價格優勢

  • SPB80N04S2L-03 - Infineon Technologies AG - 電子元件IC
  • SPB80N04S2L-03 - Infineon Technologies AG - 電子元件IC


圖片僅供參考
型號:
SPB80N04S2L-03產品文檔
Worldway 型號:
SPB80N04S2L-03-5561774
制造商:
Infineon Technologies AG
分類:
電子元件IC
應用領域:
通訊設備 有線網絡 企業系統 企業機器 個人電子產品 便攜式電子
描述:

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

封裝:
TO263-3
包裝/箱:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
設備包裝:
PG-TO263-3-2
RoHS:
無鉛/符合RoHS
庫存狀態:
有現貨
庫存資源:
工廠剩餘庫存 / 特許經銷商
保證:
1年質量保證 » 了解更多
EDA/CAD模型:
SPB80N04S2L-03 PCB Footprint and Symbol
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SPB80N04S2L-03(Infineon Technologies AG) 產品規格
  • 制造商零件號:

    SPB80N04S2L-03

  • 零件生命周期代碼:

    Obsolete

  • Ihs制造商:

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • 零件包裝代碼:

    D2PAK

  • 包裝說明:

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Pin計數:

    4

  • Reach合規代碼:

    unknown

  • ECCN代碼:

    EAR99

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 風險等級:

    5.72

  • 附加功能:

    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

  • 雪崩能量等級(Eas):

    810 mJ

  • 外殼連接:

    DRAIN

  • 配置:

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • DS擊穿電壓最小值:

    40 V

  • 最大漏電流(Abs)(ID):

    80 A

  • 漏極電流最大值(ID):

    80 A

  • 漏源導通電阻最大值:

    0.0042 Ω

  • FET技術:

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • JEDEC-95代碼:

    TO-263AA

  • JESD-30代碼:

    R-PSSO-G2

  • JESD-609代碼:

    e3

  • 元素數量:

    1

  • 終端數量:

    2

  • 工作模式:

    ENHANCEMENT MODE

  • 最高工作溫度:

    175 °C

  • 包體材料:

    PLASTIC/EPOXY

  • 形狀包裝:

    RECTANGULAR

  • 包裝樣式:

    SMALL OUTLINE

  • 極性/通道類型:

    N-CHANNEL

  • 最大功耗(Abs):

    300 W

  • 脈沖漏極電流最大值(IDM):

    320 A

  • 資質狀態:

    Not Qualified

  • 子類別:

    FET General Purpose Power

  • 表面安裝:

    YES

  • 終端飾面:

    MATTE TIN

  • 終端形式:

    GULL WING

  • 終端位置:

    SINGLE

  • 晶體管應用:

    SWITCHING

  • 晶體管元件材料:

    SILICON

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Part # Manufacturer Description Stock Price
SPB80N04S2L-03 DISTI # SPB80N04S2L-03-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK RoHS: Not compliant Min Qty: 1000 Container: Tape & Reel (TR) Limited Supply - Call  

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